Vishay IRFPG50 Type N-Channel Power MOSFET, 6.1 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFPG50PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB145.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB155.72

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 59 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 501 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 6THB145.53
7 - 12THB141.88
13 +THB139.69

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
541-1095
Distrelec หมายเลขบทความ:
301-91-596
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFPG50PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

TO-247AC

Series

IRFPG50

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

190W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

15.87mm

Height

20.7mm

Width

5.31mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay IRFPG50 Series Power MOSFET, 1000V Drain Source Voltage, 190W Power Dissipation - IRFPG50PBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power control in demanding industrial environments. It delivers high drain-to-source voltage capability and is intended for through-hole mounting in power assemblies where robust thermal and electrical performance across a wide ambient range is required.

Features and Benefits:


• 1000V rating enables high-voltage switching applications
• 6.1A continuous drain current supports moderate load currents
• 190W maximum dissipation allows sustained power handling
• 2Ω maximum Rds(on) simplifies gate drive and thermal design
• 190nC typical gate charge informs gate-drive energy budgeting
• 20V gate tolerance permits flexible gate drive margins

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies and converters
• Ideal for industrial motor drive front-ends
• Used for inverter and UPS switching stages
• Can be used for resistive load switching in test equipment
• Suitable for through-hole prototyping and repair scenarios

What package and mounting method does it use?


It is supplied in a TO-247AC package designed for through-hole mounting to allow reliable board and heatsink attachment.

What thermal range is it rated to operate within?


It is specified to operate from -55°C up to 150°C, permitting use in environments with wide temperature variation.

How many pins are present and how does that affect layout?


The device has three pins, allowing standard single-channel MOSFET PCB layouts and conventional gate, drain and source routing.

What is the device’s forward voltage and how does that impact switching losses?


The forward voltage is 1.8V which contributes to conduction and switching energy calculations when used in circuits with diode conduction or body-diode events.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง