Vishay IRFPG50 Type N-Channel Power MOSFET, 6.1 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247AC

RS Stock No.:: 178-0788
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFPG50PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFPG50 Type N-Channel Power MOSFET, 6.1 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247AC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB3,166.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,388.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB126.67	THB3,166.75
50 - 75	THB123.917	THB3,097.93
100 +	THB121.163	THB3,029.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-0788
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFPG50PBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Series	IRFPG50
	Package Type	TO-247AC
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	190nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	190W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	15.87mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	20.7mm
	Width	5.31mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Series IRFPG50
	Package Type TO-247AC
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.8V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 190W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 15.87mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 20.7mm
	Width 5.31mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Vishay IRFPG50 Series Power MOSFET, 1000V Drain Source Voltage, 6.1A Continuous Drain Current - IRFPG50PBF

This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for power switching and control in industrial electronics. It is supplied for through-hole mounting in a TO-247AC package and is suitable for applications that require substantial voltage hold-off and thermal headroom while operating across a wide ambient temperature range.

Features and Benefits:

• Withstands up to 1000V for high-voltage switching applications
• Continuous drain current rating of 6.1 A enables sustained load handling
• Drain-source on-resistance of 2 Ω reduces conduction losses under load
• Maximum power dissipation of 190W allows higher power throughput
• Typical gate charge of 190 nC supports predictable switching behaviour
• Gate-source limit of 20V protects the gate from excessive drive voltage

Applications

• Suitable for high-voltage motor-drive stages in automation systems
• Ideal for switching supplies requiring robust voltage margins
• Used with power converters in industrial electrical control panels
• Can be used for load switching in mechanical actuation systems

What mounting method is required for installation?

It requires a through-hole mounting approach and is supplied in a TO-247AC style package that is compatible with standard through-hole heatsinking arrangements.

How does it behave in extreme temperature environments?

It is specified to operate from -55 °C up to 150 °C, providing capability for use in both sub-zero and elevated-temperature conditions without derating outside those limits.

What are the gate-drive constraints to observe?

The maximum permissible gate-source voltage is 20 V, so gate-drive circuitry should be designed to avoid exceeding this threshold.

What thermal management considerations are necessary?

With a maximum power dissipation of 190 W, effective heatsinking and thermal coupling to a chassis or dedicated sink are necessary to maintain junction temperatures within safe limits.