STMicroelectronics SCT N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB786.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB841.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB786.25
10 - 99THB707.58
100 +THB652.65

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
215-242
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SCT070HU120G3AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Package Type

HU3PAK

Series

SCT

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance Rds

63mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22V

Maximum Power Dissipation Pd

23W

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

3.5mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

14mm

Length

18.58mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง