STMicroelectronics SCT N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG
- RS Stock No.:
- 215-242
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070HU120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB786.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB841.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 207 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB786.25 |
| 10 - 99 | THB707.58 |
| 100 + | THB652.65 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-242
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070HU120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 3.5mm | |
| Width | 14mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 18.58mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type HU3PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 3.5mm | ||
Width 14mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 18.58mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Sct N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT018HU65G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics Sct N-Channel Power MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7
- STMicroelectronics SCT060HU N-Channel MOSFET 750 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT060HU75G3AG
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- ROHM SCT N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3080KW7TL