N-Channel MOSFET, 18 A, 1000 V, 3-Pin TO-268 IXYS IXFT18N100Q3

RS Stock No.:: 168-4712
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFT18N100Q3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: IXYS

N-Channel MOSFET, 18 A, 1000 V, 3-Pin TO-268 IXYS IXFT18N100Q3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ราคา / Price Each (In a Tube of 30)

THB614.459

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB657.471

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สินค้าหมดชั่วคราว (Temporarily out of stock) - จะเป็นแบ๊คออเดอร์จัดส่ง (back order for despatch) 22/07/2025, จัดส่งภายใน (delivery within) 4-6 วันทำการ (working days)*

* วันที่จัดส่งอาจเปลี่ยนแปลงได้ตามจำนวนสินค้าที่คุณเลือกหรือที่อยู่จัดส่งของคุณ

Units	ต่อหน่วย	Per Tube**
30 - 30	THB614.459	THB18,433.77
60 - 90	THB601.102	THB18,033.06
120 +	THB587.745	THB17,632.35

**ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4712
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFT18N100Q3
ผู้ผลิต / Manufacturer:: IXYS

คุณสมบัติ	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	18 A
Maximum Drain Source Voltage	1000 V
Package Type	TO-268
Series	HiperFET, Q3-Class
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	660 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	6.5V
Maximum Power Dissipation	830 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Length	16.05mm
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs	90 nC @ 10 V
Width	14mm
Number of Elements per Chip	1
Height	5.1mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 18 A, 1000 V, 3-Pin TO-268 IXYS IXFT18N100Q3

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง