SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 1000 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0065100K
- RS Stock No.:
- 125-3453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- C3M0065100K
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Wolfspeed
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ดู MOSFETs ทั้งหมด
สินค้าหมดและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้
ขออภัย เราไม่มีสินค้าในสต็อกและไม่สามารถสั่งซื้อล่วงหน้าได้ในขณะนี้
ราคา / Price Each
THB618.34
(exc. VAT)
THB661.62
(inc. VAT)
| Units | Per unit |
| 1 - 7 | THB618.34 |
| 8 - 14 | THB602.88 |
| 15 + | THB593.61 |
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
- RS Stock No.:
- 125-3453
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- C3M0065100K
- ผู้ผลิต / Manufacturer:
- Wolfspeed
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
Silicon Carbide Power MOSFET, C3M Series, Cree Inc.
New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology
Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
New low-impedance package with driver source
8 mm of creepage/clearance between Drain and Source
High-speed switching with low output capacitance
High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance
Avalanche ruggedness
Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery
Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range
New low-impedance package with driver source
8 mm of creepage/clearance between Drain and Source
High-speed switching with low output capacitance
High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance
Avalanche ruggedness
Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery
For products that are Customized and under Non-cancellable & Non-returnable, Sales & Conditions apply.
MOSFET Transistors, Cree Inc.
คุณสมบัติ / Specifications
คุณสมบัติ | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1000 V |
| Package Type | TO-247-4 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Pin Count | 4 |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Maximum Power Dissipation | 113.5 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +19 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Length | 16.13mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 35 nC @ 15 V, 35 nC @ 4 V |
| Transistor Material | SiC |
| Width | 5.21mm |
| Forward Diode Voltage | 4.8V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 23.6mm |
| Series | C3M |