Wolfspeed C3M N-Channel MOSFET, 35 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin TO-247

Name: Wolfspeed C3M N-Channel MOSFET, 35 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin TO-247
Brand: Wolfspeed
SKU: 168-4886
Availability: InStock

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,327.56

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB22,125.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB23,674.11

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

สต็อกสุดท้ายของ RS

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
30 - 30	THB737.511	THB22,125.33	-
60 - 90	THB715.385	THB21,461.55	THB1,327.56
120 +	THB693.923	THB20,817.69	THB5,230.56

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Wolfspeed
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Package Type	TO-247
	Series	C3M
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	90mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	113.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-8V, +19V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	23.6mm
	Width	5.21mm
	Length	16.13mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Wolfspeed
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 35A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Package Type TO-247
	Series C3M
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 113.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -8V, +19V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 23.6mm
	Width 5.21mm
	Length 16.13mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

New C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology

Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range

New low-impedance package with driver source

8 mm of creepage/clearance between Drain and Source

High-speed switching with low output capacitance

High blocking voltage with low Drain-Source On-State Resistance

Avalanche ruggedness

Fast intrinsic diode with low Reverse Recovery

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง