Vishay IRFBG30 Type N-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBG30PBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB69.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB74.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 776 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 799 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB69.43

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
541-1146
Distrelec หมายเลขบทความ:
171-15-229
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFBG30PBF
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

TO-220AB

Series

IRFBG30

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

5Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Height

9.01mm

Width

4.7mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay IRFBG30 Series Power MOSFET, 1000V Drain Source Voltage, 3.1A Continuous Drain Current - IRFBG30PBF


This power MOSFET is a high-voltage N-channel device intended for switching and power-control roles in industrial electronics. It is a through-hole component supplied in a TO-220AB package designed for applications requiring substantial power handling and high drain-to-source voltage capability.

Features and Benefits:


• 1000V drain-to-source rating enables high-voltage switching
• 3.1A continuous drain current supports moderate load currents
• 125W power dissipation allows elevated power handling
• 5Ω maximum Rds minimises conduction losses under load
• 80nC typical gate charge permits predictable gate-drive sizing
• 150°C maximum operating temperature sustains high-heat environments

Applications


• Suitable for high-voltage power converters in automation systems
• Ideal for motor drive front-ends in electrical equipment
• Used for industrial switching in control assemblies
• Can be used for protection circuits requiring high Vds
• Used with discrete power stages in mechanical actuation systems

What gate drive margin is permissible for safe operation?


The device can tolerate gate-source voltages up to 20V, so design gate drivers to operate within that range.

How does the package influence thermal management?


The TO-220AB through-hole package permits direct heatsinking to manage the 125W dissipation under appropriate mounting and cooling conditions.

What environmental temperature range can it withstand?


It operates reliably between -55°C and 150°C, accommodating wide industrial temperature extremes.

What pin configuration should designers expect?


The component is a three-pin through-hole device, compatible with standard PCB layouts for discrete power components.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง