Vishay IRFPG30 Type N-Channel Power MOSFET, 3.1 A, 1000 V, 3-Pin TO-247AC IRFPG30PBF
- RS Stock No.:
- 256-7301
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFPG30PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB245.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB262.66
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 408 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB122.74 | THB245.48 |
| 10 - 24 | THB110.275 | THB220.55 |
| 26 - 98 | THB100.725 | THB201.45 |
| 100 - 498 | THB87.09 | THB174.18 |
| 500 + | THB70.915 | THB141.83 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7301
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFPG30PBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1000V | |
| Series | IRFPG30 | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5Ω | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1000V | ||
Series IRFPG30 | ||
Package Type TO-247AC | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay IRFPG30 Series Power MOSFET, 1000V Maximum Drain Source Voltage, 3.1A Maximum Continuous Drain Current - IRFPG30PBF
This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching transistor designed for through-hole installation in industrial and power-conversion contexts. It copes with demanding thermal environments and is intended for circuits requiring substantial voltage endurance and moderate continuous current, where a through-hole TO-247AC package and robust power dissipation are advantageous.
Features and Benefits:
• 1000V maximum drain-source voltage enables high-voltage switching applications • 125W power dissipation allows sustained power handling under load • 3.1A continuous drain current supports moderate current delivery • 5Ω maximum on-resistance minimises conduction losses at low gate drive • 80nC typical gate charge facilitates predictable switching behaviour • ±150°C/-55°C temperature range sustains wide operating environments
Applications
• Suitable for high-voltage industrial inverter stages • Ideal for switched-mode power supplies requiring through-hole mounting • Used for motor drive protection circuits with high voltage margins • Can be used for university and workshop prototyping of power circuits • Used with gate drivers in high-voltage switching assemblies
What gate drive considerations should be taken into account?
Expect a typical gate charge of 80nC at the rated gate voltage, so select a driver capable of sourcing and sinking sufficient current to meet desired switching speeds and to control switching losses.
How should thermal management be approached for this device?
The device can dissipate up to 125W
employ an appropriate heatsink and ensure thermal path integrity from the TO-247AC package to maintain junction temperature within limits during continuous operation.
What are the devices environmental operating limits?
It is specified for operation down to -55°C and up to +150°C, permitting use across a broad temperature range in industrial settings.
What mechanical mounting and connection format does it use?
It is supplied in a through-hole TO-247AC package with three pins, suitable for bolted heatsink attachment and reliable soldered board connections.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay IRFPG30 Type N-Channel Power MOSFET 1000 V, 3-Pin TO-247AC
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247AC
- Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247AC SIHG15N80AEF-GE3
- Vishay IRFPG50 Type N-Channel Power MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay IRFP064 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay IRFP Type N-Channel Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay IRFP360 Type N-Channel Power MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
