Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 51 A, 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR SIHR080N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB417,486.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB446,709.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB139.162THB417,486.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
279-9928
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHR080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

8x8LR

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 51A Maximum Continuous Drain Current - SIHR080N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage, N‑channel enhancement device designed for demanding power conversion and switching roles in surface‑mount applications. It offers a combination of high blocking voltage, substantial continuous current capability and a gate voltage rating suitable for common drive circuits, making it appropriate for systems that need compact, high‑power switching in constrained layouts.

Features and Benefits:


• 600V blocking capability enables high‑voltage system use
• 51A continuous current supports heavy load handling
• 0.084Ω Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 500W power dissipation allows sustained high‑power handling
• 63nC typical gate charge enables predictable switching behaviour
• 30V gate rating protects against excessive gate drive voltages

Applications


• Suitable for high‑voltage switch‑mode power supplies
• Ideal for industrial motor drive front‑ends
• Used with renewable energy inverter stages
• Can be used for power‑factor correction circuits
• Appropriate for medium‑power welding and induction heating

What temperature range can it tolerate in harsh environments?


It operates across -55°C to 150°C, permitting use in wide thermal conditions without derating for moderate‑temperature excursions.

How does the package support compact PCB designs?


The 8‑pin surface‑mount 8x8LR footprint enables dense board placement while providing adequate thermal and electrical connectivity.

What is the forward voltage during conduction and its impact?


Typical forward voltage is 1.2V, which influences on‑state voltage drop and must be considered in thermal and efficiency calculations.

Is this device suitable for automotive specification requirements?


It is not specified as automotive‑grade, so it should not be assumed compliant with automotive‑specific standards for vehicle electronics.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง