Vishay E Type N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB302,409.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB323,577.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB100.803THB302,409.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
228-2871
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SiHH080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Power Dissipation Pd

184W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 32A Continuous Drain Current - SiHH080N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for demanding power conversion and control tasks. It operates across a wide temperature range and is intended for surface-mounted applications where compact, robust switching performance is required. The component delivers substantial continuous current capability while supporting high drain-to-source voltages for use in industrial and electronic power stages.

Features and Benefits:


• 650V drain-to-source rating enables high-voltage switching
• 32A continuous drain current supports sustained load handling
• 70mΩ Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 42nC typical gate charge improves switching speed control
• 184W power dissipation allows significant thermal throughput
• 150°C maximum operating temperature tolerates elevated junctions

Applications


• Suitable for high-voltage switch-mode power supplies
• Ideal for industrial motor drive front-ends
• Used for power factor correction stages in converters
• Can be used for resonant and hard-switching inverter legs
• Used with discrete transistor arrays in power management modules

What gate voltage range is safe for control circuitry?


The gate may be driven up to 30V relative to source

control logic should remain within this limit to protect the gate oxide.

How does the package affect board-level thermal design?


The PowerPAK surface-mount package with four pins requires thermal vias or heatsinking on the PCB to dissipate up to 184W under specified conditions.

What environmental extremes can the device withstand?


It is rated for continuous operation down to -55°C and up to 150°C, allowing use across wide ambient and junction temperature swings.

What type of channel conduction does the device provide?


It is an enhancement-mode N-channel device, conducting when a positive gate-to-source voltage is applied.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง