Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs, 32 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB189.61

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB202.88

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB189.61
10 - 49THB184.17
50 - 99THB178.23
100 +THB153.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-084
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHR120N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

E

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8mm

Standards/Approvals

No

Length

10.42mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Series E Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 32A Maximum Continuous Drain Current - SIHR120N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for surface-mount power conversion and control in industrial systems. It operates as an N-channel enhancement device and is suited to applications requiring robust thermal tolerance and sustained power handling in demanding electrical environments.

Features and Benefits:


• 600V drain rating enables high-voltage switching applications • 32A continuous current supports substantial load currents • 0.12Ω Rds(on) minimises conduction losses at rated conditions • 278W power dissipation allows significant heat throughput • 29nC typical gate charge speeds switching transitions • 150°C maximum junction temperature endures elevated thermal stress

Applications


• Suitable for high-voltage motor drive power stages • Ideal for switched-mode power supplies in industrial equipment • Used for AC/DC converters requiring high dissipation capacity • Can be used for electronic ballast and lighting control circuits • Suitable for power switching in automation and control panels

What mounting style does it require for board assembly?


It is supplied in a leadless PowerPAK surface-mount package with eight pins, intended for soldered attachment to PCB lands and thermal vias for heat removal.

What gate drive considerations should I allow for?


The gate-source tolerance is ±30V, and the typical gate charge of 29nC requires a driver capable of sourcing and sinking sufficient current for the intended switching frequency.

How does its temperature range affect deployment?


The device is specified for operation down to -55°C and up to 150°C, allowing use across wide ambient and elevated-junction scenarios provided thermal management is implemented.

What electrical limits protect against overvoltage or excessive dissipation?


The maximum drain-source voltage is 600V and the rated power dissipation is 278W

designs should include appropriate clamping and thermal pathways to prevent exceedance.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง