Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB150,758.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB161,312.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB75.379THB150,758.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
228-2848
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHD11N80AE-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

850V

Series

E

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

78W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง