Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHM080N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 653-177
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB627,453.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB671,376.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB209.151 | THB627,453.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-177
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SIHM080N60E | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8mm | |
| Width | 7.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SIHM080N60E | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8mm | ||
Width 7.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Power MOSFET is a 4th generation E Series MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding applications. It features a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal performance. Packaged in PowerPAK 8x8L, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIJ4406DP-T1-GE3
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIRA14DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
