Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHM080N60E-T1-GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB627,453.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB671,376.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB209.151THB627,453.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-177
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHM080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHM080N60E

Package Type

PowerPAK

Mount Type

PCB

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Width

7.9 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay Power MOSFET is a 4th generation E Series MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding applications. It features a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal performance. Packaged in PowerPAK 8x8L, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง