Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB271.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB290.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB271.30 |
| 10 - 49 | THB263.38 |
| 50 - 99 | THB254.97 |
| 100 + | THB219.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIHM080N60E | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 7.9 mm | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIHM080N60E | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 7.9 mm | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Power MOSFET is a 4th generation E Series MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding applications. It features a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal performance. Packaged in PowerPAK 8x8L, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHM080N60E-T1-GE3
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
