Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

RS Stock No.:: 653-178
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHM080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB271.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB290.29

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน	ต่อม้วน
1 - 9	THB271.30
10 - 49	THB263.38
50 - 99	THB254.97
100 +	THB219.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 653-178
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHM080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	51A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SIHM080N60E
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	PCB
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.084Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	7.9 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	8mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 51A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SIHM080N60E
	Package Type PowerPAK
	Mount Type PCB
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 7.9 mm
	Standards/Approvals No
	Length 8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHM080N60E-T1-GE3

COO (Country of Origin):: CN

The Vishay Power MOSFET is a 4th generation E Series MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding applications. It features a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal performance. Packaged in PowerPAK 8x8L, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง