Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB271.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB290.29
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB271.30 |
| 10 - 49 | THB263.38 |
| 50 - 99 | THB254.97 |
| 100 + | THB219.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-178
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | E | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 8mm | |
| Width | 7.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series E | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 8mm | ||
Width 7.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Series E Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 51A Drain Current - SIHM080N60E-T1-GE3
This power MOSFET is a high-voltage switching device intended for power-conversion and control applications in industrial electronics. It functions as an enhancement-mode N-channel transistor designed to handle high drain-to-source voltages while operating on PCB-mounted assemblies. Its construction suits demanding thermal environments and standard manufacturing processes.
Features and Benefits:
• 600V rating for high-voltage switching applications • 51 A continuous drain current for substantial load handling • 0.084 Ω Rds(on) for reduced conduction losses • 42 nC typical gate charge for predictable gate-drive sizing • 500W power dissipation for elevated power-handling capability • 150 °C maximum operating temperature for high-temperature tolerance
Applications
• Suitable for switch-mode power supplies in industrial automation • Ideal for motor-drive inverter stages in manufacturing equipment • Used for high-voltage DC-DC converters in power distribution • Can be used for hard-switched topologies in testing rigs • Suitable for intermediate circuits in renewable-energy inverters
What mounting style is required for circuit implementation?
It is designed for PCB mounting using a PowerPAK package with four pins to facilitate thermal and electrical connection.
How should gate-drive voltages be selected?
Gate-drive amplitude must not exceed the ±30V gate-source limit and should be chosen to balance switching speed with the 42 nC gate charge to control losses.
What ambient temperature range can it operate within?
The device supports operation down to -55 °C and up to 150 °C junction temperature, enabling use across wide environmental conditions.
How does the package assist thermal management?
The PowerPAK form factor provides a Compact thermal path to the PCB, helping to dissipate up to the specified 500W under appropriate board-level cooling strategies.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHM080N60E-T1-GE3
- Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIS9122 Dual N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
