Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs, 38 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- RS Stock No.:
- 653-080
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB216.35
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB231.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB216.35 |
| 10 - 49 | THB209.91 |
| 50 - 99 | THB203.48 |
| 100 + | THB175.26 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-080
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHR100N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 38A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.105Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 347W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 8 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 38A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.105Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 347W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 8 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay 4th generation E Series Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal performance in a Compact PowerPAK 8x8LR package. Ideal for use in server, telecom, and power factor correction supplies, it delivers reliable performance in demanding environments.
Reduced switching and conduction losses
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR100N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR120N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK