Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs, 38 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB216.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB231.49

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB216.35
10 - 49THB209.91
50 - 99THB203.48
100 +THB175.26

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
653-080
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHR100N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

E

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.105Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

347W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

8mm

Standards/Approvals

No

Length

10.42mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Vishay Series E Power MOSFET, 600V Maximum Drain Source Voltage, 38A Maximum Continuous Drain Current - SIHR100N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and control tasks in industrial electronics. It operates as a surface-mount transistor suitable for power conversion and high-voltage switching environments, offering a balance of voltage handling and thermal endurance for use in demanding assemblies.

Features and Benefits:


• 600V drain-source rating enables high-voltage switching capability • 38A continuous drain current supports substantial load currents • 0.105Ω Rds(on) minimises conduction losses during operation • 347W power dissipation allows sustained thermal loading • 34nC typical gate charge permits efficient gate-drive control • -55°C to 150°C operating range supports extreme-temperature operation

Applications


• Suitable for high-voltage power converters in industrial automation • Ideal for motor-drive front-ends requiring robust switching • Used for switch-mode power supplies handling elevated voltages • Can be used for power-factor correction stages in electrical systems • Used with gate drivers in high-voltage inverter designs

What mounting style does it require for assembly?


It is designed for surface mounting in a PowerPAK package, requiring standard SMT reflow profiles and appropriate copper planning for heat dissipation.

How does gate-drive voltage affect switching?


The device tolerates up to 30V on the gate relative to source

utilising recommended gate voltages optimises turn-on speed while avoiding gate overvoltage.

What thermal considerations are needed for high-power applications?


Given the 347W power dissipation rating, adequate PCB copper area and thermal vias are necessary to transfer heat away from the package to maintain junction temperatures below maximum limits.

Is this device suitable for automotive designs?


It is not specified as automotive-grade, so suitability depends on system-level requirements and any additional qualification needed by the designer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง