Vishay SIHR Type N-Channel MOSFET, 51 A, 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR SIHR080N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB230.76

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB246.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1,964 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 49THB230.76
50 - 99THB172.97
100 - 249THB153.71
250 - 999THB150.55
1000 +THB147.40

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
279-9929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHR080N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

51A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SIHR

Package Type

8x8LR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.084Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

63nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง