Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 42 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3

RS Stock No.:: 239-8636
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK055N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 42 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB291.01

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB311.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,050 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 49	THB291.01
50 - 99	THB250.37
100 - 249	THB217.08
250 - 999	THB212.75
1000 +	THB172.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8636
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK055N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.056Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	236W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 42A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.056Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 236W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60E-T1-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 42A Continuous Drain Current - SIHK055N60E-T1-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for demanding power-conversion and automotive control environments. It operates across an extended ambient range and is offered in a compact surface-mount package suited to high-density assemblies, providing a balance of power handling and thermal capacity for industrial and vehicle electronic systems.

Features and Benefits:

• 650V rating enables high-voltage switching applications
• 42A continuous current supports heavy-load operation
• 0.056Ω Rds(on) reduces conduction losses
• 236W power dissipation allows sustained power throughput
• 54nC typical gate charge minimises switching energy
• 30V gate tolerance ensures robust drive margin

Applications

• Suitable for traction inverter stage power switches
• Ideal for high-voltage DC-DC converter outputs
• Used with motor-drive controllers in automotive systems
• Can be used for industrial power-supply switching
• Appropriate for surface-mounted high-power assemblies

What thermal range can I expect when deploying this device?

It is specified to function from -55°C up to +150°C, enabling operation in extreme ambient and under-bonnet conditions.

How does the package influence mounting and cooling?

The PowerPAK 10x12 surface-mount format provides a low-profile footprint that facilitates PCB thermal conduction and dense board layouts.

Is this device suitable for automotive projects with qualification needs?

It meets AEC-Q101 requirements, making it applicable to many vehicle electronics designs that require automotive-grade components.

What gate-drive constraints should be observed?

The maximum gate-to-source voltage is 30V, so gate-drive circuitry must limit excursions within that range to prevent stress.