Vishay E Type N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB341.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB365.886

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,050 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
2 - 48THB170.975THB341.95
50 - 98THB165.335THB330.67
100 - 248THB159.885THB319.77
250 - 998THB154.61THB309.22
1000 +THB149.51THB299.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
252-0268
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK185N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

19A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.05mΩ

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Width

5.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 19A Maximum Continuous Drain Current - SIHK185N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage switching device for power conversion and control in demanding electronic systems. Designed for surface mounting in Compact assemblies, it operates as an N-channel depletion-mode transistor and is suitable for applications requiring elevated temperature endurance and robust voltage handling.

Features and Benefits:


• 650V drain rating enables high-voltage switching capability • 19A continuous drain current supports substantial load handling • 0.16Ω Rds(on) minimises conduction losses for improved efficiency • 33nC typical gate charge allows predictable switching energy • 114W power dissipation manages thermal load in Compact layouts • ±20V gate tolerance simplifies gate-drive design and protection

Applications


• Suitable for high-voltage power supplies in industrial automation • Ideal for inverter stages in motor-control systems • Used for DC-DC conversion in heavy-duty electrical equipment • Can be used for switch-mode functions in power-distribution modules

What operating temperature range can it withstand?


It functions between -55°C and +150°C, enabling use in environments with wide thermal variation.

What package type is provided for PCB integration?


The device is supplied in a surface-mount PowerPAK 10x12 package with eight pins for Compact assembly.

How does the device meet automotive development needs?


It conforms to AEC-Q101 qualification, supporting designs that require automotive-grade component robustness.

What are the physical footprint dimensions?


The component measures 6.15mm in length and 5.15mm in width for space-conscious layouts.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง