Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3

RS Stock No.:: 239-8638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK125N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB379.26

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB405.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,050 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 48	THB189.63	THB379.26
50 - 98	THB183.945	THB367.89
100 - 248	THB176.585	THB353.17
250 - 998	THB167.755	THB335.51
1000 +	THB157.69	THB315.38

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8638
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK125N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.11Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	132W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.11Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 132W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK125N60E-T1-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 21A Continuous Drain Current - SIHK125N60E-T1-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for demanding electronic and automotive applications. It functions as a depletion-mode switch to control high-voltage circuits and is suitable for surface-mount assembly in systems requiring robust thermal and electrical performance. The device operates across a wide temperature range and conforms to automotive quality standards for use in vehicle electronics.

Features and Benefits:

• 650V drain voltage enabling high-voltage system switching • 21A continuous drain current for sustained load handling • 0.109Ω Rds(on) for reduced conduction losses • 132W power dissipation supporting elevated thermal loads • 54nC typical gate charge allowing predictable switching energy • ±30V gate tolerance for robust gate-drive margin

Applications

• Suitable for automotive power conversion and inverter stages • Ideal for high-voltage motor drive front-ends • Used for industrial automation high-voltage switching • Can be used for power supplies in electrical systems

What operating temperature range can I expect for reliability?

The device supports continuous operation from -55°C up to +150°C allowing use in environments with wide thermal variation.

How does the package influence thermal performance on a PCB?

The surface-mount PowerPAK 10x12 package provides a low thermal resistance path to the board, aiding heat transfer when soldered to appropriate PCB copper areas.

What gate-drive considerations should I allow for switching?

With a typical gate charge of 54nC and a maximum gate-source rating of ±30V, gate drivers must supply sufficient charge and respect the voltage limit to control switching speed safely.

Are there industry standards applicable to this component?

The device meets AEC-Q101 requirements and is RoHS-compliant, aligning it with automotive-grade component selection criteria.