Vishay EF Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Stock No.:: 252-0263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK055N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET & Diode, 40 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB399,912.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB427,906.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 4000	THB199.956	THB399,912.00
6000 +	THB185.959	THB371,918.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 252-0263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK055N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	EF
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.05mΩ
	Channel Mode	Depletion
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	132W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5.15mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.15mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series EF
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.05mΩ
	Channel Mode Depletion
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 132W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5.15mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.15mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK055N60EF-T1GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 40A Maximum Continuous Drain Current - SIHK055N60EF-T1GE3

This power MOSFET is a high-voltage, N‑channel device designed for demanding power-conversion and automotive applications. It operates across a wide temperature range and is intended for surface-mount deployment where robust switching, high voltage tolerance and automotive qualification are required.

Features and Benefits:

• 650V drain rating enables high-voltage switching applications • 40A continuous current supports substantial load currents • 0.05mΩ Rds(on) minimises conduction losses during operation • 236W power dissipation allows high thermal throughput • 90nC typical gate charge reduces switching energy per transition • AEC-Q101 qualification meets automotive stress and reliability needs

Applications

• Suitable for traction inverter stages in automotive electronics • Ideal for high-voltage DC-DC converters in industrial automation • Used for switch-mode power supplies in power distribution systems • Can be used for motor-drive stages requiring high current capacity • Suitable for Compact surface-mounted power modules

What gate-drive considerations are required for efficient switching?

Drive circuits should accommodate up to ±20V gate excursion and supply sufficient Peak current to charge the 90nC gate to the chosen Vgs for the defined switching speed while managing switching losses.

How does thermal management affect continuous operation?

To sustain the 236W dissipation, thermal pathways such as large copper planes or heatsinking to the PowerPAK substrate are necessary to keep junction temperatures within the specified +150°C limit.

What mounting and layout practices improve performance?

Use low-inductance surface-mount layouts with short, wide tracks for drain and source, and place gate resistors and decoupling close to the pins to reduce ringing and electromagnetic interference.

What environmental range can be expected for field use?

The device is specified for operation from -55°C up to +150°C, supporting a broad span of ambient and elevated junction conditions in industrial and automotive environments.