Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 40 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60EF-T1GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB399,912.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB427,906.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 - 4000THB199.956THB399,912.00
6000 +THB185.959THB371,918.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
252-0263
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK055N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

EF

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.05mΩ

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

236W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

6.15mm

Width

5.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 40A Drain Current - SIHK055N60EF-T1GE3


This power MOSFET is a high-voltage switching transistor intended for demanding power conversion and control environments. It is a surface-mount N-channel depletion device that operates across a broad thermal range and is suited to applications requiring high-voltage handling, substantial continuous current and controlled gate-drive behaviour.

Features and Benefits:


• 650V drain-source rating enables high-voltage switching capability
• 40A continuous drain current supports heavy-load operation
• 0.05mΩ Rds(on) minimises conduction losses at high currents
• 90nC typical gate charge allows predictable switching energy
• 236W maximum power dissipation handles significant thermal stress
• 20V gate tolerance permits robust gate-drive margins

Applications


• Used with industrial power converters and inverters
• Suitable for high-voltage motor drive stages
• Ideal for DC-DC conversion in heavy-duty systems
• Can be used for traction or automotive power modules
• Used for high-power switch arrays in energy systems

What thermal extremes can the device endure in service?


It is rated to operate from -55°C up to +150°C, permitting use in environments with wide temperature variation.

How is the component mounted on a board and what package is provided?


The device is supplied in a PowerPAK 10x12 surface-mount package designed for low-inductance PCB mounting and efficient thermal contact.

What regulatory or industry readiness does it offer for automotive use?


It meets AEC-Q101 requirements for semiconductor qualification suitable for automotive electronic systems.

What pin-count should designers expect when creating PCB footprints?


The component presents an 8-pin layout, which should be accommodated in the PCB land pattern for correct placement and routing.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง