Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Stock No.:
- 239-8635
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB416,390.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB445,538.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB208.195 | THB416,390.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8635
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK055N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | E | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.05Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 236W | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series E | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.05Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 236W | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Vishay Series E Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 42A Maximum Continuous Drain Current - SIHK055N60E-T1-GE3
This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power management in demanding industrial and automotive contexts. It operates across a wide temperature range and is intended for surface-mounted assemblies where robust high-voltage handling and Compact packaging are required.
Features and Benefits:
• 650V drain rating enables high-voltage switching applications • 42A continuous drain current supports heavy-load operation • 0.056Ω low Rds(on) reduces conduction losses • 54nC typical gate charge balances switching speed and drive effort • 236W power dissipation allows sustained power handling • Rated to +150°C for elevated-temperature environments
Applications
• Suitable for power conversion stages in industrial automation • Ideal for motor drive inverter switching circuits • Used for high-voltage DC-DC converters in electrical systems • Can be used for automotive power management modules that require AEC-Q101 qualification
What mounting style is required for board assembly?
It is supplied in a PowerPAK 10x12 surface package with eight pins designed for surface-mount soldering processes and thermal conduction to the PCB.
How does the gate drive requirement affect controller selection?
The device supports gate-source voltages up to 30V and has a typical gate charge of 54nC, so drivers must source sufficient charge for desired switching transitions while remaining within the VGS limit.
What environmental extremes can it withstand during operation?
The component is specified for operation from -55°C up to +150°C, enabling use across a broad ambient and junction temperature range in harsh settings.
Are there industry approvals relevant to automotive use?
It meets AEC-Q101 standards for automotive-grade semiconductors and is RoHS compliant for material restrictions.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N65E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
