Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 42 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB416,390.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB445,538.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB208.195THB416,390.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-8635
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK055N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

E

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.056Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Power Dissipation Pd

236W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

+150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 42A Continuous Drain Current - SIHK055N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for demanding power-conversion and automotive control environments. It operates across an extended ambient range and is offered in a compact surface-mount package suited to high-density assemblies, providing a balance of power handling and thermal capacity for industrial and vehicle electronic systems.

Features and Benefits:


• 650V rating enables high-voltage switching applications
• 42A continuous current supports heavy-load operation
• 0.056Ω Rds(on) reduces conduction losses
• 236W power dissipation allows sustained power throughput
• 54nC typical gate charge minimises switching energy
• 30V gate tolerance ensures robust drive margin

Applications


• Suitable for traction inverter stage power switches
• Ideal for high-voltage DC-DC converter outputs
• Used with motor-drive controllers in automotive systems
• Can be used for industrial power-supply switching
• Appropriate for surface-mounted high-power assemblies

What thermal range can I expect when deploying this device?


It is specified to function from -55°C up to +150°C, enabling operation in extreme ambient and under-bonnet conditions.

How does the package influence mounting and cooling?


The PowerPAK 10x12 surface-mount format provides a low-profile footprint that facilitates PCB thermal conduction and dense board layouts.

Is this device suitable for automotive projects with qualification needs?


It meets AEC-Q101 requirements, making it applicable to many vehicle electronics designs that require automotive-grade components.

What gate-drive constraints should be observed?


The maximum gate-to-source voltage is 30V, so gate-drive circuitry must limit excursions within that range to prevent stress.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง