Vishay EF N-Channel Power MOSFET, 33 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
- RS Stock No.:
- 252-0265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB341,012.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB364,882.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | THB170.506 | THB341,012.00 |
| 6000 + | THB158.571 | THB317,142.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-0265
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | EF | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.061Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Width | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6.15mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series EF | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.061Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Width 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6.15mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay EF N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay SiH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay EF N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SiHH105N60EF-T1GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3