Vishay EF Type N-Channel MOSFET & Diode, 33 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

RS Stock No.:: 252-0265
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK075N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET & Diode, 33 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB341,012.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB364,882.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 4000	THB170.506	THB341,012.00
6000 +	THB158.571	THB317,142.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 252-0265
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK075N60EF-T1GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET & Diode
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	EF
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.05mΩ
	Channel Mode	Depletion
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	132W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15mm
	Length	6.15mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET & Diode
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series EF
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.05mΩ
	Channel Mode Depletion
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 132W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.15mm
	Length 6.15mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK075N60EF-T1GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 33A Maximum Continuous Drain Current - SIHK075N60EF-T1GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching device designed for demanding power-electronics and automotive environments. It operates as an N-channel depletion-mode transistor suited to high-voltage applications, offering a balance of current capability and thermal endurance for industrial control and vehicle electronic systems.

Features and Benefits:

• 650V rating enables high-voltage switching applications • 33A continuous drain current supports substantial load currents • 0.061Ω low Rds(on) reduces conduction losses • 192W power dissipation permits elevated power handling • 72nC typical gate charge allows predictable gate-drive sizing • 20V maximum gate-source voltage accommodates robust drive ranges

Applications

• Suitable for inverter and motor-drive stages in automation systems • Ideal for high-voltage DC-DC converters in electrified vehicles • Used for primary switches in power supplies for industrial equipment • Can be used for traction and auxiliary vehicle power electronics

What temperature range can it withstand during operation?

It is specified to operate from -55°C up to +150°C, permitting use across wide ambient and thermal conditions typical in automotive and industrial installations.

Which package type should designers account for on the board?

The device is supplied in an 8-pin PowerPAK 10x12 surface-mount package, so thermal pad layout and soldering profiles for that package should be applied.

What gate-drive constraints must be observed for reliable switching?

The maximum gate-source voltage is 20V

gate drivers should be designed to remain within that limit while providing sufficient slew to manage the 72nC gate charge.

Are there any approvals or environmental standards noted for this device?

It meets RoHS requirements and adheres to the AEC-Q101 automotive standard for component qualification.