Vishay E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB281,846.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB301,576.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB140.923THB281,846.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-5380
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK075N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.08Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

10V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay Series E Power MOSFET, 600V Drain Source Voltage, 29A Maximum Continuous Drain Current - SIHK075N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for demanding electronic and electrical systems. It operates as an N-channel device suitable for surface-mount implementations, offering high-temperature endurance and substantial continuous current capability for power conversion and switching tasks in industrial environments.

Features and Benefits:


• 600V rating enables high-voltage switching applications • 29A continuous current supports heavy-load operation • 0.08Ω low Rds(on) reduces conduction losses • 167W power dissipation allows sustained thermal load handling • 41nC typical gate charge facilitates Faster switching transitions • 150°C maximum operating temperature permits elevated-temperature use

Applications


• Suitable for inverter stages in industrial drives • Ideal for switch-mode power supplies in automation systems • Used for high-voltage motor control circuits • Can be used for power conversion in renewable-energy inverters • Suitable for solid-state switching in electrical distribution equipment

What gate-drive considerations should I account for in designs?


Drive circuitry must handle a maximum gate-to-source voltage of 30V and be able to source/sink current to charge the typical 41nC gate quickly for efficient switching.

How should thermal management be approached for prolonged operation?


Ensure adequate PCB thermal layout and heat-sinking to dissipate up to 167W, and consider the device’s 150°C maximum junction rating when specifying cooling.

What are the electrical limits for safe operation at low temperatures?


The device is specified for use down to -55°C, so components and soldering processes must accommodate this minimum ambient without exceeding electrical stress limits.

Which package characteristics affect PCB assembly and layout?


The component uses an 8-pin PowerPAK 10x12 surface-mount package, requiring appropriate land pattern and solder paste deposition for reliable mounting and thermal transfer.

Is this suitable for automotive-grade replacements?


It is not specified to meet automotive standardisation, so suitability should be verified against vehicle-specific qualification requirements.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง