Vishay SIHK075N60E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 239-5380
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB281,846.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB301,576.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB140.923 | THB281,846.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5380
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | SIHK075N60E | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.08Ω | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series SIHK075N60E | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.08Ω | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E series power MOSFET has drain current of 29 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHK075N60E Type N-Channel MOSFET 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N65E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
