Vishay E Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB430,826.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB460,984.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2000 +THB215.413THB430,826.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
239-8633
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIHK045N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.04Ω

Channel Mode

Depletion

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Power Dissipation Pd

132W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 48A Continuous Drain Current - SIHK045N60E-T1-GE3


This power MOSFET is a high-voltage N-channel semiconductor device designed for switching and power management in demanding electrical systems. It operates across a wide temperature range and is intended for surface-mounted assemblies where automotive-level reliability and high continuous current handling are required.

Features and Benefits:


• 650V drain voltage enabling high-voltage switching applications • 48A continuous drain current supporting heavy current loads • 0.043Ω Rds(on) reducing conduction losses under load • 98nC typical gate charge allowing predictable drive requirements • 278W maximum power dissipation for substantial thermal handling • AEC-Q101 qualification meeting automotive stress screening needs

Applications


• Suitable for traction inverter and motor-control stages in vehicles • Ideal for high-voltage power converters in industrial automation • Used for DC-DC conversion in high-power electrical systems • Can be used for switch-mode power supplies in demanding environments

What gate drive considerations should I allow for?


Design gate drivers to deliver around the typical 98nC charge at the chosen Vgs to ensure switching speed meets system timing while limiting switching losses.

How should thermal management be approached on PCB assemblies?


Use the PowerPAK 10x12 surface package heat-spreading and provision for adequate copper area and vias to dissipate up to 278W under defined cooling conditions.

What voltage margins are appropriate for safety design?


Select system operating voltages well below the 650V maximum drain-source rating and limit gate excursions within the ±30V gate-source constraint.

Are there environmental temperature constraints for operation?


The device functions from -55°C up to +150°C junction temperature, so system cooling and derating must account for high-temperature operating points.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง