Vishay Type N-Channel MOSFET, 19 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- RS Stock No.:
- 252-0267
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB168,726.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB180,536.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | THB84.363 | THB168,726.00 |
| 6000 + | THB78.457 | THB156,914.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 252-0267
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK185N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 19A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.05mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 132W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.15mm | |
| Width | 5.15 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 19A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.05mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 132W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.15mm | ||
Width 5.15 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay siliconix MOSFET product line includes a diverse range of advanced technologies. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The field effect means that they are controlled by voltage.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Kelvin connection for reduced gate noise
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3