Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 48 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3

RS Stock No.:: 239-8634
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK045N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 48 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB302.09

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB323.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,040 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 49	THB302.09
50 - 99	THB260.63
100 - 249	THB226.00
250 - 999	THB221.44
1000 +	THB179.20

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8634
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHK045N60E-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	E
	Package Type	PowerPAK 10 x 12
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.043Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	98nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series E
	Package Type PowerPAK 10 x 12
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.043Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHK045N60E-T1-GE3

Vishay Series E Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 48A Maximum Continuous Drain Current - SIHK045N60E-T1-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel transistor designed for switching and power conversion in demanding electronic systems. It offers elevated voltage capability and substantial current handling for use in surface-mounted designs where thermal and electrical performance are critical. The device complies with industry lead-free standards and meets automotive qualification for use in vehicle electronics.

Features and Benefits:

• 650V rating for high-voltage switching applications
• 48A continuous drain current for heavy load handling
• 0.043Ω low on-resistance to reduce conduction losses
• 278W power dissipation for improved thermal endurance
• 98nC typical gate charge for predictable switching behaviour
• 30V gate tolerance enabling robust drive margin

Applications

• Suitable for offline power supplies requiring high blocking voltage
• Ideal for automotive power management and motor drive circuits
• Used with DC-DC converters in industrial equipment
• Can be used for inverter stages in renewable-energy systems
• Suitable for compact surface-mount power modules

What thermal extremes can the device tolerate in operation?

It operates across a wide temperature span from -55°C up to +150°C, suitable for harsh ambient conditions.

How is the device packaged for PCB assembly?

It is supplied in a low-profile PowerPAK10x12 surface-mount package optimised for heat dissipation and automated placement.

What gate drive limitations should designers observe?

The gate must be driven within ±30V to avoid gate-source overstress during switching events.

Does the device suit automotive qualification requirements?

It meets AEC‑Q101 automotive standards, making it appropriate for vehicle electronic subsystems.