Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 48 A, 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 239-8634
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB302.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB323.24
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,040 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB302.09 |
| 50 - 99 | THB260.63 |
| 100 - 249 | THB226.00 |
| 250 - 999 | THB221.44 |
| 1000 + | THB179.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-8634
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK045N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 48A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | E | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.043Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 48A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series E | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.043Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Vishay Series E Power MOSFET, 650V Drain Source Voltage, 48A Continuous Drain Current - SIHK045N60E-T1-GE3
This power MOSFET is a high-voltage N-channel semiconductor device designed for switching and power management in demanding electrical systems. It operates across a wide temperature range and is intended for surface-mounted assemblies where automotive-level reliability and high continuous current handling are required.
Features and Benefits:
• 650V drain voltage enabling high-voltage switching applications • 48A continuous drain current supporting heavy current loads • 0.043Ω Rds(on) reducing conduction losses under load • 98nC typical gate charge allowing predictable drive requirements • 278W maximum power dissipation for substantial thermal handling • AEC-Q101 qualification meeting automotive stress screening needs
Applications
• Suitable for traction inverter and motor-control stages in vehicles • Ideal for high-voltage power converters in industrial automation • Used for DC-DC conversion in high-power electrical systems • Can be used for switch-mode power supplies in demanding environments
What gate drive considerations should I allow for?
Design gate drivers to deliver around the typical 98nC charge at the chosen Vgs to ensure switching speed meets system timing while limiting switching losses.
How should thermal management be approached on PCB assemblies?
Use the PowerPAK 10x12 surface package heat-spreading and provision for adequate copper area and vias to dissipate up to 278W under defined cooling conditions.
What voltage margins are appropriate for safety design?
Select system operating voltages well below the 650V maximum drain-source rating and limit gate excursions within the ±30V gate-source constraint.
Are there environmental temperature constraints for operation?
The device functions from -55°C up to +150°C junction temperature, so system cooling and derating must account for high-temperature operating points.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60EF-T1GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET & Diode 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
