Vishay SIHK075N60E Type N-Channel MOSFET, 29 A, 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 239-5381
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB241.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB258.68
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,050 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 49 | THB241.76 |
| 50 - 99 | THB208.53 |
| 100 - 249 | THB181.22 |
| 250 - 999 | THB177.58 |
| 1000 + | THB143.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 239-5381
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Series | SIHK075N60E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.08Ω | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Series SIHK075N60E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.08Ω | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E series power MOSFET has drain current of 29 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
4th generation E series technology
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHK075N60E Type N-Channel MOSFET 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N65E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3