Vishay E Series N channel-Channel MOSFET, 29 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N65E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 735-259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N65E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB399.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB427.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 31 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB399.53 |
| 10 - 49 | THB247.54 |
| 50 - 99 | THB191.60 |
| 100 + | THB129.22 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 735-259
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK075N65E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | E Series | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Board | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.065Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 9.9 mm | |
| Length | 12.88mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series E Series | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Board | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.065Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 9.9 mm | ||
Length 12.88mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHK075N60E Type N-Channel MOSFET 600 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay E Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH075N65E-T1-GE3
- Vishay SF Series N channel-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK110N65SF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
