Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET, 24 A, 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8310
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB244,920.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB262,060.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 + | THB122.46 | THB244,920.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8310
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK105N60E-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SIHK | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 132W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 9.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SIHK | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 132W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 9.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay power MOSFET with 4th generation E series technology has reduced switching and conduction losses and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60E-T1-GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK085N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK125N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60EF-T1GE3
- Vishay SIHK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK155N60EF-T1GE3