Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC SIHG15N80AEF-GE3

RS Stock No.:: 225-9914
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG15N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247AC SIHG15N80AEF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB505.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB541.195

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

530 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB101.158	THB505.79
10 - 20	THB92.018	THB460.09
25 +	THB84.362	THB421.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 225-9914
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG15N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247AC
	Series	EF
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	350mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	53nC
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	2.39mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	6.73mm
	Height	10.41mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247AC
	Series EF
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 2.39mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 6.73mm
	Height 10.41mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHG15N80AEF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 13A Continuous Drain Current - SIHG15N80AEF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel switching device designed for demanding power-electronic environments. It is intended for use where robust high-voltage handling and significant continuous current capability are required, operating across a wide ambient temperature range and supplied in a TO-247AC package for mounting on surfaces.

Features and Benefits:

• 800V drain-to-source rating enables high-voltage system integration
• 13A continuous drain current supports moderate power throughput
• 350mΩ low Rds(on) reduces conduction losses during operation
• 156W power dissipation allows sustained thermal loading
• 53nC typical gate charge facilitates predictable switching performance
• ±30V gate tolerance permits wide control-voltage flexibility

Applications

• Used for high-voltage power conversion stages
• Suitable for industrial motor drive switching
• Ideal for switch-mode power supplies in energy systems
• Can be used for clamped inductive load switching
• Used with gate drivers for fast-switching topologies

What temperature extremes can it withstand in operation?

It is rated for continuous operation from -55°C up to 150°C, allowing use in both cold and high-temperature environments.

How does the package affect thermal and mounting choices?

The TO-247AC surface package provides a large thermal pad area suitable for heatsinking and straightforward solder or clip mounting to manage dissipation.

What gate-drive constraints should be observed?

The device tolerates gate-source voltages up to 30V, so gate drivers should be selected to stay within that limit to avoid gate overstress.

What forward conduction behaviour can be expected during switching transitions?

The forward voltage is specified at 1.2V, which informs predicted conduction voltage drop during the on-state and helps size snubbers or clamp networks.