Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V, 3-Pin TO-247 SIHG15N80AEF-GE3
- RS Stock No.:
- 225-9914
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG15N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB505.79
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB541.195
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 530 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB101.158 | THB505.79 |
| 10 - 20 | THB92.018 | THB460.09 |
| 25 + | THB84.362 | THB421.81 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 225-9914
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG15N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 350mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 10.41mm | |
| Width | 2.39 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series EF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Height 10.41mm | ||
Width 2.39 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-247
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 SIHP15N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247