Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET, 34 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
- RS Stock No.:
- 268-8297
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG085N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB224.14
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB239.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB224.14 |
| 5 - 9 | THB219.54 |
| 10 - 99 | THB201.52 |
| 100 - 499 | THB165.07 |
| 500 + | THB140.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 268-8297
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG085N60EF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 34A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | SIHG | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 184W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 15.7mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 34A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series SIHG | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 184W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 15.7mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay EF series power MOSFET with fast body diode which has reduced switching and conduction losses, and it is used in applications such as switch mode power supplies, server power supplies and power factor correction power supplies.
Low effective capacitance
Avalanche energy rated
Low figure of merit
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3
- Vishay SIHB Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB085N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP085N60EF-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG25N40D-GE3
- Vishay SiHG32N50D Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SiHG32N50D-GE3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247