Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3

RS Stock No.:: 653-136
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG11N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel Power MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB2,246.175

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,403.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 100	THB89.847	THB2,246.18
125 +	THB88.045	THB2,201.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 653-136
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG11N80AEF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247AC
	Series	EF
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.483Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	78W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	16.25mm
	Width	20.70mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247AC
	Series EF
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.483Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 78W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 16.25mm
	Width 20.70mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHG11N80AEF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 78W Power Dissipation - SIHG11N80AEF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage, N-channel switching device designed for power-electronic duties where robust voltage handling and through-hole mounting are required. It operates as an enhancement-mode transistor suitable for applications needing a high drain-to-source breakdown and conventional gate-drive arrangements. The package supports wire-lead assembly and is intended for industrial and electronic system integration.

Features and Benefits:

• 800V drain rating enables high-voltage switching applications • 8A continuous drain current supports moderate load throughput • 0.483Ω Rds(on) minimises conduction losses under load • 41nC gate charge reduces switching energy and drive requirements • 78W power dissipation allows sustained thermal loading • 30V maximum gate drive preserves gate insulation integrity

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters • Ideal for motor-drive inverter stages in industrial controls • Used for switch-mode power electronics and converters • Can be used for medium-power PFC and boost regulator designs

What temperature range can it reliably operate within?

It is specified to function between -55°C and 150°C, accommodating cold-start and elevated-temperature environments.

How is the device mounted in typical assemblies?

It is supplied in a through-hole TO-247AC package with three pins for secure board attachment and heat-sink mounting.

What gate-drive constraints should designers observe?

The gate-to-source voltage must not exceed 30V to avoid damaging the gate dielectric.

Are there any handling considerations for thermal management?

The 78W dissipation figure requires appropriate heat-sinking and thermal-interface practices to maintain junction temperatures within specified limits.