Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 210-4983
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB1,807.90

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,934.45

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

175 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 25	THB72.316	THB1,807.90
50 - 75	THB70.744	THB1,768.60
100 +	THB69.172	THB1,729.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 210-4983
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-247
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	304mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	4.6mm
	Length	28.6mm
	Width	15.5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-247
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 304mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 4.6mm
	Length 28.6mm
	Width 15.5mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHG15N80AE

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 13A Continuous Drain Current - SIHG15N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for industrial and power-conversion roles where robust drain-source blocking is required. It operates as an N-channel enhancement device in a through-hole TO-247AC package, offering suitability for discrete power stages and retrofit designs that require a removable power component.

Features and Benefits:

• 800V drain-source rating for high-voltage switching capability • 13 A continuous drain current for steady load operation • 304 mΩ Rds(on) reduces conduction losses in power paths • 35 nC typical gate charge enables predictable drive requirements • 156W power dissipation supports elevated power throughput • 30V maximum gate-source voltage permits standard gate-drive voltages

Applications

• Suitable for industrial motor drive front-ends in automation systems • Ideal for high-voltage power supplies and DC-DC converters • Used for soft-switching stages in power electronics research • Can be used for prototype and repair tasks requiring through-hole mounting

What temperature range can it tolerate during operation?

It functions across a -55 °C to 150 °C operating range, allowing use in environments with wide thermal variation.

What mounting style is required for PCB implementation?

The device is intended for through-hole mounting in a TO-247AC footprint, facilitating sturdy mechanical attachment and heat-sink integration.

How many electrical connections does it present to the board?

Three pins provide drain, gate and source connections consistent with conventional transistor layouts.

What gate-drive considerations should designers note?

Designers should ensure gate-drive amplitudes do not exceed 30V and account for the 35 nC typical gate charge when sizing driver currents.