Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3

RS Stock No.:: 210-4970
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel Power MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB15N80AE-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB543.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB581.245

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,965 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB108.644	THB543.22
15 - 20	THB105.928	THB529.64
25 +	THB104.298	THB521.49

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 210-4970
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHB15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-263
	Series	E
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	304mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	156W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.06mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	14.61mm
	Width	9.65mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-263
	Series E
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 304mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 156W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.06mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 14.61mm
	Width 9.65mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHB15N80AE

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Drain Source Voltage, 13A Continuous Drain Current - SIHB15N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel switch intended for surface-mounted power conversion and control applications. It operates across a wide ambient range and is engineered to handle elevated voltages and thermal loads in demanding electronic systems while meeting RoHS environmental requirements.

Features and Benefits:

• 800V drain rating enables high-voltage switching capability
• 13A continuous drain current supports substantial load currents
• 304mΩ Rds(on) minimises conduction losses during operation
• 156W power dissipation allows for sustained thermal handling
• 35nC typical gate charge aids predictable gate-drive sizing
• 30V gate tolerance permits robust gate-drive voltages

Applications

• Used for high-voltage power supplies and converters
• Suitable for industrial motor drive stages
• Ideal for switch-mode power supply primary switches
• Can be used for welding or plasma power control modules
• Used with high-voltage inverters in industrial equipment

What package type should be considered for thermal management on boards?

It is supplied in a TO-263 surface-mount package which offers a low-profile thermal path to PCB copper for heat-sinking.

How does the device behave across temperature extremes?

The device is rated to operate from -55°C up to 150°C, allowing use in both cold-start and high-temperature environments.

What gate-drive limitations must designers observe?

The gate must not exceed ±30V relative to source to avoid damage to the gate oxide and ensure reliable switching.

What forward conduction characteristic is present during body diode conduction?

The intrinsic diode exhibits a forward voltage of approximately 1.2V when conducting in reverse-polarity conditions.