Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 95 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247

RS Stock No.:: 239-8628
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG026N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 95 A, 650 V Depletion, 3-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*

THB8,914.525

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB9,538.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

475 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
25 - 75	THB356.581	THB8,914.53
100 - 475	THB345.883	THB8,647.08
500 - 975	THB332.048	THB8,301.20
1000 +	THB312.125	THB7,803.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 239-8628
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHG026N60EF-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	95A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-247
	Series	EF
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.02Ω
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	63nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	521W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 95A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-247
	Series EF
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.02Ω
	Channel Mode Depletion
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 63nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 521W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SIHG026N60EF-GE3

Vishay Series EF Power MOSFET, 650V Maximum Drain Source Voltage, 95A Maximum Continuous Drain Current - SIHG026N60EF-GE3

This power MOSFET is a high-voltage switching transistor designed for demanding power-electronics environments, particularly in automotive and industrial systems. It operates as an N-type depletion-channel device in a through-hole surface package suitable for engineers requiring robust thermal and electrical performance across a wide temperature range.

Features and Benefits:

• 650V drain rating enables high-voltage switching applications • 95A continuous drain current supports heavy load handling • 0.023Ω Rds(on) reduces conduction losses under load • 521W power dissipation allows sustained thermal performance • 63nC typical gate charge offers predictable switching behaviour • 30V gate tolerance ensures compatibility with common drive voltages

Applications

• Suitable for traction inverter stages in vehicle powertrain electronics • Ideal for high-voltage power supplies and converters • Used for industrial motor drive switching assemblies • Can be used for high-current DC-DC conversion in automation systems

What mounting style does this device use and why does it matter?

It is supplied in a TO-247AC surface-mount package which facilitates secure heat-sinking and straightforward PCB or heatsink attachment for efficient thermal management.

How does the device perform across temperature extremes?

The transistor is rated to operate from -55 to +150°C, enabling use in harsh ambient conditions and high-temperature enclosures.

What gate drive considerations should be observed?

The maximum Vgs is 30V

designers should ensure gate drivers do not exceed this level to prevent gate overstress and ensure reliable switching.

What standard addresses its suitability for automotive use?

It meets the automotive AEC-Q101 standard, indicating it has been qualified for vehicle electronic applications under that specification.