Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 210-4991
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB2,293.85

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,454.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

850 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB45.877	THB2,293.85
100 - 150	THB44.88	THB2,244.00
200 +	THB43.883	THB2,194.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 210-4991
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIHP15N80AE-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-220
	Series	E
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	304mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	136W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.24mm
	Length	27.69mm
	Standards/Approvals	No
	Width	9.96mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-220
	Series E
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 304mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 136W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.24mm
	Length 27.69mm
	Standards/Approvals No
	Width 9.96mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHP15N80AE

Vishay Series E Power MOSFET, 800V Maximum Drain Source Voltage, 13A Maximum Continuous Drain Current - SIHP15N80AE-GE3

This power MOSFET is a high-voltage N-channel enhancement device designed for switching and power-conversion roles in industrial and electronics systems. It is built for through-hole mounting in a TO-220AB package and supports demanding thermal and electrical environments, offering a balance of voltage tolerance and current handling for use in controllers, converters and power stages.

Features and Benefits:

• 800V drain-source voltage enables high-voltage switching applications • 13A continuous drain current supports moderate load currents • 304mΩ on-resistance minimises conduction losses • 156W power dissipation permits substantial thermal throughput • 53nC typical gate charge allows controlled switching dynamics • 30V gate-source limit ensures robust gate-drive margin

Applications

• Suitable for high-voltage power supplies and converters • Ideal for industrial motor-drive front ends • Used for switched-mode power supply primary switches • Can be used for power-factor correction stages • Used with gate drivers in medium-power inverter designs

What temperature range can it operate within?

It functions across -55°C to 150°C, allowing use in a wide span of ambient and elevated operating temperatures.

Which mounting style does it require for assembly?

It is intended for through-hole installation on a PCB using the TO-220AB package and its three pins.

What gate-drive considerations should be observed?

Keep gate drive within ±30V maximum and account for typical 53nC gate charge when sizing driver current for the desired switching speed.

How should thermal management be handled for reliable operation?

Use a suitable heatsink or thermal Interface to maintain junction temperatures below rated limits given the 156W dissipation capability and application-specific duty cycles.