Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- RS Stock No.:
- 653-138
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG11N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB100.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB107.01
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB100.01 |
| 10 + | THB97.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 653-138
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHG11N80AEF-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.483Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.25mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 20.70 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.483Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.25mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 20.70 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features a fast body diode, low figure-of-merit (FOM), and reduced effective capacitance for improved efficiency. Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies, it comes in a robust TO-247AC package.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHB155N60EF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR100N60EF-T1GE3