Vishay S N-Channel MOSFET, 28 A, 650 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK135N65S-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 878-898
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB87.44
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB93.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 9 | THB87.44 |
| 10 - 24 | THB57.03 |
| 25 - 99 | THB33.74 |
| 100 - 499 | THB32.79 |
| 500 + | THB32.31 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 878-898
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHK135N65S-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 28A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | S | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.121Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 28A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series S | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.121Ω | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The Vishay Power MOSFET designed to manage switching and conduction efficiently, making it an essential component for various power supply applications.
Latest generation SF series technology, ensuring optimal performance
Low figure of merit (FOM) for enhanced energy efficiency
Avalanche energy rated, offering improved reliability under stress
Single Pulse avalanche energy capacity, catering to demanding applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4810-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4610-T1-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 650 V, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK065N60E-T1-GE3
- Vishay SIHK N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK105N60E-T1-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK055N60E-T1-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK185N60E-T1-GE3
- Vishay E N-Channel Power MOSFET 650 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK045N60E-T1-GE3
- Vishay E Series N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIHK075N65E-T1-GE3