Vishay TrenchFET Gen IV N channel-Channel MOSFET, 461 A, 60 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4610-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 790-428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJK4610-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*
THB150.65
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB161.20
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | THB3.013 | THB150.65 |
| 500 - 2450 | THB1.872 | THB93.60 |
| 2500 - 4950 | THB1.445 | THB72.25 |
| 5000 + | THB0.979 | THB48.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 790-428
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIJK4610-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 461A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 10 x 12 | |
| Series | TrenchFET Gen IV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0012Ω | |
| Channel Mode | N | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 12mm | |
| Width | 10mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 461A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 10 x 12 | ||
Series TrenchFET Gen IV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0012Ω | ||
Channel Mode N | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 12mm | ||
Width 10mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N Channel MOSFET delivers superior performance for various applications. With a robust design, it minimises power loss and offers exceptional conduction efficiency, making it Ideal for power management systems.
Operating voltage rating of 60 V enhances system reliability
Features low on-state resistance for reduced power dissipation
Kelvin connection significantly lowers gate noise interference
Robust continuous drain current capability of 77 A ensures optimal performance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Gen IV N channel-Channel MOSFET 80 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4810-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS50DN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS22LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS476DN-T1-GE3
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212