Vishay TrenchFET Gen IV N channel-Channel MOSFET, 361 A, 80 V N, 8-Pin PowerPAK 10 x 12 SIJK4810-T1-GE3

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 50 ชิ้น)*

THB8,340.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8,923.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
50 - 450THB166.802THB8,340.10
500 - 2450THB161.798THB8,089.90
2500 - 4950THB156.944THB7,847.20
5000 +THB152.236THB7,611.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
790-429
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIJK4810-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

361A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 10 x 12

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0018Ω

Channel Mode

N

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

160nC

Maximum Power Dissipation Pd

446W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10mm

Length

12mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N Channel MOSFET is designed for efficient power management in various applications, featuring an Advanced TrenchFET Gen IV technology that reduces conduction losses and improves overall performance.

Operates with a drain-source voltage of up to 80 V

Provides a low on-state resistance of 0.0018 Ω at 10 V gate-source voltage

Rated for continuous drain current of 361 A

Features Kelvin source connection to minimise gate noise

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง