Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs, 14.2 A, 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS110DN-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB20.91

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB22.37

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB20.91
25 - 99THB13.78
100 +THB8.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-345
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS110DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

14.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SISS

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.054Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

24W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.30mm

Height

1.04mm

Width

3.30mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET delivers efficient power management solutions with excellent conduction capabilities. Designed for demanding applications, it offers superior switching and thermal performance.

Features TrenchFET Gen IV technology for superior efficiency and performance

Guaranteed 100% RDS(on) and UIS tested for reliability in operation

Continuous drain current rating of 11 A ensures robust delivery

Optimised for low RDS(on) values, enhancing thermal performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง