Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 30 V Enhancement Mode, 6-Pin P SIA432BDJ-T1-GE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB8.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB8.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB8.08
25 - 99THB5.23
100 - 499THB3.33
500 +THB2.85

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-363
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIA432BDJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

2.05mm

Width

2.05mm

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. Its robust construction enables reliable function under demanding conditions.

30 V drain-source voltage facilitates versatile application range

Max on-state resistance of 0.0192 Ohm at 10 V enhances power efficiency

Configured as a single device, optimising space and performance

Designed with TrenchFET technology for superior switching capabilities

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง