Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 149 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 829-365
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR580LDP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB66.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB71.19
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB66.53 |
| 10 - 24 | THB43.25 |
| 25 - 99 | THB25.66 |
| 100 - 499 | THB25.19 |
| 500 + | THB24.24 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-365
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIR580LDP-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 149A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | P | |
| Series | SI | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0026Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Height | 1.04mm | |
| Width | 5.15mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 149A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type P | ||
Series SI | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0026Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.15mm | ||
Height 1.04mm | ||
Width 5.15mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
The Vishay N-Channel MOSFET, designed for high-efficiency switching applications, providing robust performance in demanding conditions with its low on-state resistance and comprehensive testing certifications.
Rated for a drain-source voltage of 80 V, ensuring reliable operation under various conditions
Features a maximum on-resistance of just 0.0026 Ohm at 10 V, promoting energy efficiency
Incorporates a low gate threshold voltage of 1 to 2.5 V, enhancing compatibility with a wide range of circuits
Offers a robust continuous drain current of 149 A, suitable for high-power applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR680ADP-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 6-Pin P SIA432BDJ-T1-GE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 8-Pin TSOP-6 SI7804BDN-T1-GE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 6-Pin TSOP-6 SI3410BDV-T1-GE3
- Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIRS5100EPW-T1-RE3