Vishay SIR N channel-Channel Single MOSFETs, 203 A, 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIRS5100EPW-T1-RE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB110.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB117.97

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB110.25
10 - 24THB71.76
25 - 99THB42.29
100 - 499THB41.34
500 +THB40.39

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-344
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIRS5100EPW-T1-RE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

203A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

P

Series

SIR

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0027Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

205W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.15mm

Height

1.04mm

Length

6.15mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay power MOSFET delivers high performance for applications demanding efficient switching. With its Advanced design, it enables significant reductions in power loss and enhanced overall thermal management.

Provides a drain-source voltage rating of 100 V, ensuring reliable operation

Achieves a low on-state resistance, which minimises power loss during conduction

Offers a continuous drain current of up to 203 A, suitable for high-power demands

Features a Pb-free and halogen-free construction for compliance with environmental regulations

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง