Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs, 52 A, 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB42.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB45.25

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB42.29
25 - 99THB28.04
100 - 499THB16.16
500 +THB15.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-348
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS862ADN-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SISS

Package Type

PowerPAK 1212-8SLW

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0072Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.30mm

Length

3.30mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay Advanced N-Channel MOSFET designed primarily for high-efficiency switching applications. It delivers robust performance with low on-resistance characteristics.

Operating voltage up to 60V ensures versatility across applications

Very low on-state resistance optimises power efficiency

Guaranteed safe operating area enhances reliability during high-demand conditions

Thoroughly tested for R and UIS for assured performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง