Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580DP-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB82.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB88.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB82.69
10 - 24THB53.70
25 - 99THB31.84
100 - 499THB30.89
500 +THB30.41

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-364
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SIR580DP-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

3.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

P

Series

SI

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

6.15mm

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management. This Advanced component excels in roles requiring high levels of current handling and voltage regulation.

TrenchFET Gen V technology for superior efficiency

Low on-state resistance reduces power losses

Extensive testing for reliability, including UIS testing

Optimised for low R x Q figure-of-merit to enhance performance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง