Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs, 33.7 A, 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB40.39

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB43.22

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 24THB40.39
25 - 99THB26.61
100 - 499THB15.68
500 - 999THB15.21
1000 +THB14.73

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
829-346
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS128LDN-T1-UE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

33.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SISS

Package Type

P

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0156Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.30mm

Length

3.30mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Height

1.04mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in a Compact package, ensuring reliable operation across various demanding applications.

TrenchFET Gen IV technology enables improved efficiency and thermal performance

Low RDS(on) values, optimising conduction losses during operation

Tested for high reliability with 100% R and UIS stressed units

Robust specifications with a 80V drain-source voltage rating and a maximum current of 33.7A

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง