Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs, 7 A, 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS4634LDN-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 829-347
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB19.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB20.84
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 สิงหาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 24 | THB19.48 |
| 25 - 99 | THB12.83 |
| 100 - 499 | THB7.60 |
| 500 + | THB7.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 829-347
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS4634LDN-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Series | SISS | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0285Ω | |
| Channel Mode | Enhancement Mode | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.30mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Height | 1.04mm | |
| Length | 3.30mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SLW | ||
Series SISS | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0285Ω | ||
Channel Mode Enhancement Mode | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.30mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Height 1.04mm | ||
Length 3.30mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay cutting-edge N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It excels in reducing switching-related power loss while providing robust performance across various applications.
Features TrenchFET Gen IV technology for enhanced efficiency
Fully lead-free device ensures environmental compliance
Optimised charge characteristics minimise energy losses
Comprehensive Rg and UIS testing guarantees reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement Mode, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SISS862ADN-T1-UE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS110DN-T1-GE3
- Vishay SISS N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SISS128LDN-T1-UE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement Mode, 8-Pin TSOP-6 SI7804BDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ELNW-T1_GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ENW-T1_GE3
- Vishay SISS Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3
- Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement Mode, 8-Pin P SIR580LDP-T1-UE3
