Vishay SISS52DN N channel-Channel MOSFET, 162 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS52DN-T1-BE3

N
ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*

THB49.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB52.98

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ม้วน
ต่อม้วน
1 - 9THB49.51
10 - 24THB32.18
25 - 99THB16.83
100 +THB16.34

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
736-353
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SISS52DN-T1-BE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

162A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SISS52DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00095Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for robust switching applications, offering excellent efficiency and reliability in power management solutions.

Tested for 100% R g and UIS, ensuring superior reliability

Material compliance categorisation enhances environmental safety

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง