Vishay SISS64DN N channel-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-UE3
- RS Stock No.:
- 736-356
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS64DN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
N
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 1 ชิ้น)*
THB44.06
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB47.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ม้วน | ต่อม้วน |
|---|---|
| 1 - 24 | THB44.06 |
| 25 - 99 | THB29.21 |
| 100 - 499 | THB14.85 |
| 500 + | THB14.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 736-356
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SISS64DN-T1-UE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8S | |
| Series | SISS64DN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0021Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 57W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 3.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8S | ||
Series SISS64DN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0021Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 57W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 3.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications, ensuring reliable operation under demanding conditions with Advanced features for reduced switching losses.
Supports synchronous rectification and high power density applications
Ultra-low on-state resistance at specified gate voltages
High continuous drain current rating for demanding loads
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SISS64DN N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS64DN-T1-BE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS586DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3
- Vishay SISS26DN N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS26DN-T1-UE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3
- Vishay SISS126DN N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SISS126DN-T1-UE3
- Vishay SISS30DN N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS30DN-T1-BE3
- Vishay SISS52DN N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS52DN-T1-BE3
